PIN-Zelle

Eine PIN-Zelle ist eine amorphe Siliziumsolarzelle. Sie ist nach dem Aufbau ihrer dotierten Halbleiterschichten benannt. An der Lichteinfallsfläche befindet sich eine p-dotierte Schicht. Darunter liegen eine intrinsische (undotierte) Schicht und eine n-dotierte Schicht. Somit verfügt die PIN-Zelle über einen p-i-n-Übergang anstatt des üblichen p-n-Übergangs.

Durch den PIN-Aufbau der Zelle lässt sich die Gesamtdicke der Zelle deutlich reduzieren. Dies liegt an der stärkeren Raumladungszone in der intrinsischen Schicht, die eine höhere Absorptionsrate ermöglicht.

Synonym(e):

a-Si-Dünnschichtzelle

Englische Übersetzung(en):

PIN cell