p-n-Übergang

Der p-n-Übergang ist der Grenzbereich zwischen zwei Schichten mit entgegengesetzter Dotierung in Halbleiterkristallen. Diese Schichten werden als p-dotiert und n-dotiert bezeichnet. Der p-dotierte Bereich weist einen Überschuss an Defektelektronen bzw. Löchern auf, der n-dotierte Bereich weist einen Überschuss an Elektronen auf. Durch diesen Ladungsunterschied diffundieren die überschüssigen Ladungsträger in die jeweils andere Schicht, wodurch ein elektrisches Feld entsteht. Beim Anlegen einer äußeren Spannung lässt die so entstandene Raumladungszone den Stromfluss nur in eine Richtung zu, was in einer Solarzelle zu einem Elektronenfluss in nur eine Richtung führt.

Abbildung 1 zeigt den zuvor beschriebenen Grenzbereich zwischen zwei Schichten mit entgegengesetzter Dotierung in einem Halbleiterkristall.

Synonym(e):

Raumladungszone, pn-Übergang

Englische Übersetzung(en):

p-n junction