Staebler-Wronski-Effekt

Der Staebler-Wronski-Effekt führt bei amorphen Siliziumsolarzellen zur Degradation von Photovoltaikanlagen. Hohlräume im Nanometerbereich sowie schwache Bindungen im Kristallgitter führen zur Rekombination von Elektron-Loch-Paaren. Die dabei freiwerdende Energie erzeugt Defekte im Halbleitermaterial. Der Effekt findet während des Light Soakings, also innerhalb der ersten 10.000 Betriebsstunden statt. Anschließend wird ein quasistabiler Wirkungsgrad erreicht. Innerhalb der ersten 1.000 Stunden ist eine Leistungsminderung um 15 bis 37 Prozent möglich.

Englische Übersetzung(en):

Staebler–Wronski effect