2016-01-01  –  2018-12-31

954.518,61 EUR

PVA Crystal Growing Systems GmbH, Wettenberg, Hessen

0325883A

Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]

01161407/1  –  Innovative Siliziumkristallisation - Weiterentwicklung der Silizium Monokristallfertigung

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Die Weiterentwicklung des Czochralski-Verfahrens von einem Chargen- Prozess zu einem semi-kontinuierlichen und kontinuierlichen Prozess soll zu einer deutlichen Kostenreduktion und gleichzeitiger Optimierung der Materialqualität bei der Herstellung von Monokristallen für die Photovoltaik führen. Die Kostenreduktion beim Czochralski-Verfahren kann durch eine Steigerung der Produktivität erreicht werden. Für einen Kristallzüchtungszyklus steht eine begrenzte Zeit, die durch die Tiegellebensdauer vorgegeben ist, zur Verfügung. Innerhalb dieser Zeit muss also die Menge an kristallisiertem und verwertbarem Material gesteigert werden. Dies soll durch eine erhöhte Kristallisationsgeschwindigkeit bei gleichzeitigem Übergang zum Mehrchargen Prozess aus einem Tiegel erreicht werden. Der Übergang zum kontinuierlichen Prozess verspricht darüber hinaus eine deutliche Verbesserung der Materialqualität. In diesem Teilvorhaben sollen durch den Antragsteller PVA Crystal Growing Systems GmbH die anlagentechnischen Entwicklungen durchgeführt und an realen Kristallzüchtungen erprobt werden. Die Steigerung der Kristallisationsgeschwindigkeit wird durch eine aktive Kühlung des Kristalls während der Züchtung erreicht. Die mehrfache oder kontinuierliche Befüllung des Tiegels durch eine spezielle Apparatur wird gesondert entwickelt. Beide Maßnahmen sollen kombiniert und aufeinander abgestimmt werden.