Verbundvorhaben: SpuTOPiA - Sputtern von passivierenden Kontakten basierend auf der TOPCon Technologie mit industrieller Anlagentechnologie; Teilvorhaben: In-situ Sputterprozesse hochdotierter Poly-Si-Schichten
Zeitraum
2020-10-01 – 2023-06-30
Bewilligte Summe
595.240,88 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1068A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01216416/1 – SpuToPIA - Sputtern von passivierenden Kontakten basierend auf der TOPCon Technologie mit industrieller Anlagentechnologie
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das wesentliche Kernziel des Teilvorhabens ist es, in-situ n-dotierte Si-Schichten per Kathodenzerstäubung abzuscheiden, welche nachweislich Zellwirkungsgrade von 23,5 % in Solarzellen mit TOPCon-Strukturen aber diffundiertem Emitter erreichen. Hierfür muss im ersten Schritt geeignetes Zerstäubungsmaterial (sputter target) identifiziert und dann im zweiten Schritt der Sputterprozess darauf entwickelt werden. Des Weiteren ist ein Untersuchungsgegenstand, zu ermitteln, ob ein reaktiv gesputtertes SiN:H als Deckschicht (capping layer) für die in-situ n-dotierte Si-Schicht vor der Kristallisation der festen Phase (solid phase crystallization (SPC)) verwendet werden kann und trotzdem der Zellwirkungsgrad von 23,5 % erreicht wird. Im Positivfall soll dies ausgebaut werden indem SPC und BBr3-Diffusion in einem Schritt zusammengefasst werden. Auch hier soll selbiger Zellwirkungsgrad erreicht werden. Final soll anhand der Betrachtung der technischen Lösung die Kostenstruktur überschlagen und die Industrietauglichkeit bewertet werden.
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