Verbundvorhaben: SpuTOPiA - Sputtern von passivierenden Kontakten basierend auf der TOP-Con Technologie mit industrieller Anlagentechnologie; Teilvorhaben: n-Typ Zellen mit gesputterten passivierten Kontakten für die industrielle Anwendung und Zuverlässigkeitstests an Minimodulen
Zeitraum
2020-10-01 – 2022-12-31
Bewilligte Summe
191.810,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1068B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01216416/1 – SpuToPIA - Sputtern von passivierenden Kontakten basierend auf der TOPCon Technologie mit industrieller Anlagentechnologie
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Teilvorhaben des ISC Konstanz hat das Ziel in-situ dotierte gesputterte poly-Si Schichten in einen industriellen Herstellungsprozess für TOPCon Solarzellen mit besonders günstiger Kostenstruktur zu integrieren. Dabei soll der Herstellungsprozess durch Co-Annealing der Si-Dünnschicht während der BBr3 Diffusion, sowie durch Verwendung der vom ISC entwickelten Bor Silicat Glas (BSG) Passivierung des Emitters ohne AlOx Beschichtung schlank gehalten werden. Diese Prozessroute erfordert, dass die Herstellung der Si-Dünnschicht vor der BBr3 Diffusion erfolgen muss, was spezielle Anforderungen an die Temperaturbeständigkeit des Schichtstapels stellt. In diesem Zusammenhang soll auch die Herstellung von Grenzflächenoxiden mittels (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) an einer bestehenden Anlage am ISC untersucht werden. Außerdem sollen Tests an Minimodulen auf Basis der zu entwickelten TOPCon Zellen aus den Prozessrouten des ISC und Fraunhofer ISE durchgeführt werden, um neben Vorteilen bezüglich der Herstellungskosten und des Wirkungsgrads auch deren Zuverlässigkeit zu demonstrieren.
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