2020-10-01  –  2023-06-30

1.130.954,97 EUR

Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg im Breisgau, Baden-Württemberg

03EE1068C

Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]

01216416/1  –  SpuToPIA - Sputtern von passivierenden Kontakten basierend auf der TOPCon Technologie mit industrieller Anlagentechnologie

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Im Projekt SpuTOPiA sollen die Grundlagen für die Weiterentwicklung der TOPCon Technologie auf Basis von Sputterpozessen geschaffen werden. Die Entwicklung einer industriell umsetzbaren Prozessfolge zum Aufbau des TOPCon-Schichtstapels, aufbauend auf einem kristallinen Si-Substrat bestehend aus einem vorzugsweise nasschemischen Grenzflächenoxid und einer dotierten polykristallinen Silizium-Dünnschicht und optional einem Siliziumnitrid basierend auf der durch PVD zur Verfügung stehenden Hochdurchsatzanlagentechnologie steht im Fokus des Projektes. In diesem Teilvorhaben soll dazu zum einen die technologischen und wissenschaftlichen Grundlagen des Sputterns von in-situ dotierem Silicium für TOPCon Schichten erarbeitet werden. Dazu werden auf unterschiedlichen Laboranlagen Prozesse evaluiert und zusammen mit dem Partner VON ARDENNE bewertet und sowohl die Prozesse erabeitet als auch die Spezifikationen für die Targets bestimmt. Zum anderen werden Poly-Abscheidungen für den Partner RENA bereitgestellt, damit dieser die Entwicklung der nasschemischen Tunneloxide vorantreiben kann. Für die finale Bewertung der Prozesse werden Solarzellen mit gesputtertem a-Si hergestellt, die in der Spitze Wirkungsgrade über 23.5 % erreichen sollen.