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ALDELA - Atom Lagen Depositions Labor Anlage zur Herstellung von ultrahocheffizienten Cu(In,Ga)Se2-Zellen

Zeitraum
2018-10-01  –  2020-09-30
Bewilligte Summe
978.478,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324352
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Chalkopyrite [EB1022]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Die CIGS-Dünnschichttechnologie weist heute Wirkungsgrade von 22,9% an Zellen und über 17% an Großmodulen auf. Das Potenzial für weitere Verbesserungen ist groß und vielfältige Ansätze zur Wirkungsgradsteigerung sind in der Diskussion. Eine dieser neuartigen Ansätze basiert auf der Passivierung der relevanten Grenzflächen mit der Methode der Atomlagendeposition (Atomic Layer Deposition, ALD). Diese bietet die Möglichkeit, dünne sehr kompakte Schichten mit einer hervorragenden Stufenbedeckung abzuscheiden und auf atomarer Ebene gezielt Einfluss auf die Schicht- und Grenzflächeneigenschaften des Bauelements zu nehmen. Um diese angedachten neuen Konzepte umsetzen zu können, soll im Rahmen dieses Projektes eine ALD-Anlage mit einem Glovebox-System beschafft werden. Neben der Passivierung der Grenzflächen kann diese Methode u.a. auch für eine gezielte Steuerung der Alkali-Diffusion aus dem Glas, eine Anpassung / Optimierung von Puffermaterialien an die neuartige alkali-modifizierte CIGS-Oberfläche, für die Abscheidung von Zwischenschichten oder als Antireflexschicht eingesetzt werden. All dies trägt zur weiteren Verbesserung der Wirkungsgrade bei.
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