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Verbundvorhaben: Cost-efficient High-throughput Ion-Implantation for Photovoltaics - CHIP, Teilvorhaben: Ionenimplantation und Kristallausheilverfahren für die Photovoltaik

Zeitraum
2012-07-01  –  2015-06-30
Bewilligte Summe
1.471.249,00 EUR
Ausführende Stelle
Leibniz Universität Hannover - Fakultät für Elektrotechnik und Informatik - Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik, Hannover, Niedersachsen
Förderkennzeichen
0325480C
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01119665/1  –  CHIP
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Ziel des Verbundvorhabens ist es, die Ionenimplantation (als Technik zur lokalen Dotierung von Mikroelektronik) auf die Photovoltaik zu übertragen. Da diese nur auf eine Waferseite wirkt, können n-Typ-PERT(Passivated Emitter and Rear, Totally Doped)-Zellen sehr einfach hergestellt werden: Um die Bor-Dotierung auf der Vorderseite sowie die Phosphor-Dotierung auf der Rückseite zu erzeugen, sind keine Diffusionsbarrieren nötig. Für die Ausheilung beider Spezies soll ein kostengünstiger Prozess entwickelt werden. Projektziel ist ein Wirkungsgrad von mehr als 21 Prozent. Der Zellprozess soll auf industrietypischen Anlagen am ISFH entwickelt werden.
Weitere Informationen
→ Technische Informationsbibliothek Hannover: Abschlussbericht