2011-01-01  –  2013-12-31

761.083,00 EUR

Universität Stuttgart - Fakultät 5 Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik - Institut für Physikalische Elektronik (IPE), Stuttgart, Baden-Württemberg

0325260B

Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]

01081051/1  –  Quick µc-Si ipe

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Dünne intrinsische Passivierschichten (5 bis 10 Nanometer) tragen zur Minimierung von Oberflächenrekombinationen an Siliciumheteroübergängen bei und ermöglichen so sehr hohe Spannungen, die Voraussetzung für hohe Wirkungsgrade von waferbasierten Siliciumzellkonzepten. Die selektiven Membranen für die Solarzellenfunktion werden dabei durch dotierte Schichten bereitgestellt. Die infrage kommenden Materialsysteme werden mit PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor-Deposition)-Prozessen abgeschieden und sind Siliciumcarbide und -oxide. Die zu optimierenden Zielgrößen sind der Lichteinfang bei bestmöglicher Passivierung auf nTyp- und pTyp-Wafern, die optische Absorption, die elektronische Passivierung, die thermische Stabilität und die Schichthomogenität.