Verbundvorhaben: H3-Netzeffizienz - Verlustoptimale Hochvolt-Halbleiter für HGÜ Netze mit höchster Energieeffizienz; Teilvorhaben Uni Rostock: Innovative Ansteuer- und zukünftige Halbleiterkonzepte
Zeitraum
2019-01-01 – 2022-03-31
Bewilligte Summe
992.067,47 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0350055B
Leistungsplansystematik
Netze [EB1820]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESI6)
Förderprogramm
Energie
Das Vorhaben befasst sich mit der Steigerung des Wirkungsgrads selbstgeführter Stromrichter für die Hochspannungsgleichstrom-Übertragung. Durch die Erforschung neuartiger Silizium-Insulated Gate Bipolar Transistoren und Dioden in der Spannungsklasse 3,3 kV bis 6,5 kV, deren Integration in Power Module und innovative Ansteuerkonzepte sollen die Leistungshalbleiterverluste in Stromrichtern für die Hochspannungsgleichstromübertragung deutlich reduziert werden. Mit der LowLoss Insulated Gate Bipolar Transistor Technologie soll eine Anhebung der Plasmakonzentration und eine Verbesserung der Kanalleitfähigkeit erreicht werden. Ansteuerkonzepte mit Entsättigungspuls, Feldstärkebegrenzung und Kurzschlussstrombegrenzung reduzieren die Ausschaltverluste und gewährleisten hohe Robustheit. Im Teilvorhaben der Universität Rostock werden die neuen Ansteuerkonzepte erforscht und weitere Potentiale zur Senkung der Durchlassspannung aufgezeigt.
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