Solarzellen mit passiviertem Rückseiten-Emitter durch APCVD-Abscheidung dotierter dielektrischer Schichten (PARADIES)
Zeitraum
2013-07-01 – 2016-06-30
Bewilligte Summe
1.166.401,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325632
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Im Rahmen dieses Projektes wird ein Diffusionsprozess für die gleichzeitige Erzeugung des front- und rückseitigen Dotierprofils einer bifazialen Solarzelle entwickelt. Als Dotierquelle werden mit B beziehungsweise P dotierte Siliciumdioxid(SiO2)-Schichten verwendet, die mittels des Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition(APCVD)-Verfahrens abgeschieden werden. Die Oberflächenpassivierung erfolgt ebenfalls mittels APCVD. Weitere Aspekte des Projektes sind die Kontaktierung der erzeugten Profile mittels Siebdruck sowie die Untersuchung der Durchfeuereigenschaften in Verbindung mit der jeweiligen Passivierschicht. Abschließend werden eine Prozesssequenz zur Herstellung bifazialer Solarzellen entwickelt und entsprechende großformatige Solarzellen auf industriellem Czochralski-Silicium prozessiert.
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