Entwicklung von Hochleistungssolarzellenrückseitenstrukturen zur Passivierung von industriell gefertigten Siliziumsolarzellen unter Verwendung von innovativen und kostengünstigen Technologien
Zeitraum
2009-09-01 – 2012-08-31
Bewilligte Summe
1.074.889,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325168
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des Vorhabens ist es, alternative Prozesse für die Herstellung der Solarzellenrückseite zu erarbeiten, die zeitnah in die Fertigungslinien überführt werden können. Hierzu gehören zum einen die Passivierung mit einem Dielektrikum und das Bor-BSF (Back-Surface-Field), zum anderen die Definition von lokalen Kontaktbereichen. Die Frontseite wird nach industriellem Standard mit Hilfe von Siebdruckmetallisierung ausgeführt, um die Einführung in die Fertigungslinien zu erleichtern. Die im Projekt entwickelten Passivierschichten werden bezüglich ihrer optischen, elektrischen und strukturellen Eigenschaften untersucht und auf ihre Eignung für den Einsatz bei Solarzellen aus monokristallinem Czochralski-Silicium sowie blockgegossenem, multikristallinem Silicium hin überprüft.
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