Verbundvorhaben: FUN - Gesputterte und in anderer Weise abgeschiedene a-Si-Schichten zur Herstellung von passivierten, siebgedruckten Kontakten für eine industrielle Produktion, Teilvorhaben: Integration von Siebdruck-basierter Metallisierung und Getterprozessen von EpiWafern in einen Solarzellenprozess
Zeitraum
2019-09-01 – 2022-08-31
Bewilligte Summe
501.418,51 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1022A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01187780/1 – FUN - Sputtered and otherwise deposited a-Si for Fabricating passivated screen-printed contacts for an indUstrially feasible productioN
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Vorhaben wird im Rahmen des 6. Calls des SOLAR-ERA.NET durchgeführt und befasst sich mit der Kombination von epitaktisch gewachsenen Wafern (EpiWafern), die ein enormes Kostenreduktionspotential haben verglichen mit monokristallinan Standard-Si-Wafern, mit dem Ansatz der passivierten Kontakte, die mittels Siebdruckpaste metallisiert werden. Die Universität Konstanz (UKN) soll im Rahmen des Vorhabens die Pasten-, EpiWafer- und Prozessentwicklung der Projektpartner in einer Solarzelle zusammenführen bzw. in den Solarzellenprozess integrieren. Dabei sollen ein Getterprozess entwickelt und die Verunreinigungen analysiert werden. Zudem sollen die mit den neuen Pasten erzeugten Kontakte bzgl. Leitfähigkeit sowie Passivierung charakterisiert und die Verwendung von Laserkristallisation für die Erzeugung lokaler passivierter Kontakte evaluiert werden.
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