Kristalline Silizium-Legierungen für Dünnschichtsolarzellen
Zeitraum
2002-01-01 – 2005-03-31
Bewilligte Summe
1.085.445,05 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0329814A
Leistungsplansystematik
Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Zielsetzung dieses Vorhabens war die Erschließung und Verbesserung effizienter kristalliner Dünnschicht-Solarzellen durch den Einsatz von Silizium-Germanium (SiGe) und Silizium-Kohlenstoff-Legierungen (SiC). Über die grundlegenden Eigenschaften von dünnen Niedertemperatur-Schichten der beiden Legierungssysteme war vor Projektbeginn nur wenig bekannt, was sich im Rahmen des Vorhabens ändern sollte. Für die Herstellung dünner SiGe-schichten hat sich die Metall-induzierte Kristallisation in Form des Aluminum-Induced Layer Exchange (ALILE)-Prozesses als vielversprechend erwiesen. Außerdem konnten erste Erfahrungen mit dem epitaktischen Überwachsen von polykristallinen SiGe-Nukleationsschichten und dessen Einbau in Dünnschicht-Solarzellen gewonnen werden. Insgesamt wurden bei allen Arbeitspunkten Fortschritte erzielt, die mittels zahlreicher Artikel und Präsentationen der Öffentlichkeit zugänglich gemacht wurden.
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