2005-04-01  –  2008-03-31

842.602,00 EUR

Technische Universität München - Physik Department - Walter Schottky Institut - Lehrstuhl für experimentelle Halbleiterphysik I, Garching b. München, Bayern

0329986

Dünnschichttechnologien Silizium [EB1021]

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Ziel des Projektes war die Erschließung bzw. Optimierung neuer silizium-basierter Legierungssysteme (mikrokristallin oder polykristallin) für die Verwendung in der Dünnschicht-Photovoltaik. Mit unterschiedlichen Depositionsverfahren wurden dünne Schichten aus SiGe und SiC hergestellt und bezüglich ihrer strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften charakterisiert. Grundlegende Untersuchungen zum Überwachsen von polykristallinen SiGe-Nukleationsschichten wurden durchgeführt und der Einsatz dieser dünnen poly-Si-Schichten auf Glas für Dünnschicht-Transistoren demonstriert. Mittels des Hot-Wire-Depositionsverfahrens wurden mikrokristalline SiC-Schichten abgeschieden. Signifikante Verbesserungen in der Quanteneffizienz im blauen Spektralbereich von hocheffizienten Solarzellen konnten durch den Einbau von n-SiC-Fensterschichten erreicht werden. Darüber hinaus konnte durch die Optimierung dieser Fensterschichten eine weitere Reduktion der integralen optischen Reflexion von µc-Si-basierten Dünnschicht-Solarzellen realisiert werden.