Verbundvorhaben: Kombination von passivierten p+/p und n+/n Übergängen mit CVD-basierten Dotierquellen für p-Typ und n-Typ Siliziumsolarzellen; Teilvorhaben: Abscheidung von passivierenden amorphen Siliziumschichten mittels APCVD und nasschemische Erzeugung von Grenzflächenoxiden
Zeitraum
2016-05-01 – 2019-10-31
Bewilligte Summe
593.185,91 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324042A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01169955/1 – Kombination von passivierten p+/p und n+/n Übergängen mit CVD-Basierten Dotierquellen für p-Typ und n-Typ Siliziumsolarzellen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Im Vorhaben KOMPASS sollen die poly-Si/c-Si Übergänge mit Grenzflächenoxid zur Herstellung von rekombinationsarmen Si-Solarzellen den bisherigen rückseitigen Basiskontakt von sowohl p-Typ als auch n-Typ Solarzellen ersetzen. Gleichzeitig soll während der Temperaturbehandlung des Grenzflächenoxids und der Herstellung des poly-Si aus dem a-Si der vorderseitige Emitter durch Diffusion aus einer CVD-Quelle erfolgen. Um diese Art Heteroübergänge in gegenwärtige produktionsrelevante Solarzellenprozesse zu integrieren, soll im Vorhaben KOMPASS erstmals APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) anstatt PECVD (Plasma Enhanced CVD) zur poly-Si-Abscheidung eingesetzt werden. Aufgrund des nicht notwendigen Vakuums ist die APCVD-Technologie, die vom Projektpartner SCHMID bereits für andere Anwendungen kommerzialisiert wurde, potentiell günstiger als PECVD. Das Gesamtziel dieses Vorhabens ist es daher, kostengünstige Prozesse für n-dotierte und p-dotierte poly-Si Schichten unter Verwendung von APCVD-Prozessen zu entwickeln, die eine signifikante Reduktion der Rekombinationsstromdichten der passivierten und metallisierten Bereiche erlauben.
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