2019-05-01  –  2022-10-31

250.297,00 EUR

RENA Technologies GmbH - Solar Technologie Center Freiburg, Freiburg im Breisgau, Baden-Württemberg

03EE1001G

Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]

01187535/1  –  NextTec - Identifikation, Evaluation und Selektion von Produktionstechnologien der nächsten Generation mit dem Potential für eine signifikante Steigerung der Durchsatzraten in der PV-Produktion

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Der ASt plant die Entwicklung einer nasschemischen Inline- (saure Prozesse) und Batch-Prozesse/Anlage (alkalische Prozesse) für hohe Durchsätze. Hierbei liegt der Fokus neben dem Durchsatz auch auf dem Chemikalienverbrauch und Fußabdruck bei reduzierten bzw. gleich bleibenden Anlagen. Durch die Kontaktierung eines Festkörpers mit Flüssigkeit bildet sich eine Grenzflüssigkeitsschicht, in der das Ätzmedium schnell verbraucht wird. Durch gleichmäßige und schnelle Anströmung der Wafer kann in dieser Grenzflüssigkeitsschicht für hinreichenden Medienaustausch gesorgt werden. Dadurch kann einerseits die Ätzrate und damit verbundener Durchsatz erhöht und die Ätzhomogenität der Waferoberfläche verbessert werden. Der ASt wird mithilfe von einer CFD-Fluidströmungssimulationssoftware (Computational Fluid Dynamics) die Einströmung und die Geometrie des Bades optimieren. Durch die Erhöhung der Ätzrate und Substratgeschwindigkeit kann der Durchsatz erhöht werden. In diesem Arbeitspaket wird die Erhöhung der Transportgeschwindigkeit der Wafer untersucht. Der alkalische Prozess wird in der Regel im Batchverfahren durchgeführt. Der Durchsatz kann durch das Erhöhen der Anzahl der Bäder, Batchgrößen und durch Reduzierung der Prozesszeiten erhöht werden. Für die Reduzierung der Ätzzeit wird der Stoffaustauch an der Grenzfläche Wafer-Ätzflüssigkeit, die Badtemperatur, Auswahl der Additive untersucht. Eine Software gestützte Simulation der Strömung unter Berücksichtigung der Batch- und Badgröße sowie der Abstände zwischen den Wafern im Carrier soll dazu helfen die optimale Badgeometrie zu qualifizieren.