Verbundvorhaben: PariS - Passivierende Kontakte für kostengünstige und hocheffiziente IBC-Solarzellen; Teilvorhaben: Entwicklung von TOPCon IBC Zellen mit gesputterten Poly-Si Kontak-ten, Innovative Strukturierung von PVD-Schichten
Zeitraum
2024-06-01 – 2027-05-31
Bewilligte Summe
2.757.177,45 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1216A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01264758/1 – PariS - Entwicklung von TOPCon IBC Zellen mit gesputterten Poly-Si Kontakten, Innovative Strukturierung von PVD-Schichten
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des PariS-Projekts ist die Entwicklung eines kostengünstigen Verfahrens für die Herstellung hocheffizienter Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) Interdigitated Back Contact (IBC)-Solarzellen (TBC) mit gesputterten Polysilizium-Tunnelübergängen. Die Bor (p)- und Phosphor (n)-dotierten Polysiliziumbereiche auf der Rückseite der TBC-Solarzellen sollen durch Ex-situ-Dotierung mittels einer einzigen In-situ-physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)-Abscheidung eines Mehrschichtstapels aus amorphen Silizium (a-Si) und Siliziumdioxid (SiOx) und anschließender Laserstrukturierung der äußeren a-Si-Maskenschicht gebildet werden. In Verbindung mit der Möglichkeit der einseitigen Abscheidung mittels PVD-Technologie würde dies den Prozessablauf bei der Herstellung von TBC-Solarzellen erheblich vereinfachen. Eine siebgedruckte Metallisierung auf Kupfer (Cu)-Basis und die bereits etablierte ZEBRA-3D-Verschaltung werden die Zellproduktion vervollständigen. Es werden TBC-Solarzellen mit einem Wirkungsgrad von mehr als 25 % und einem Silberverbrauch von weniger als 4 mg/W demonstriert. Das Hauptziel ist der Demonstration, dass diese PVD-Poly-Si IBC-Technologie zu Kosten realisiert werden kann, die unter den derzeitigen TOPCon-Solarzellenkosten liegen.