2019-01-01  –  2022-06-30

168.991,93 EUR

FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden, Dresden, Sachsen

0324293C

Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]

01183209/1  –  Dynasto - Dynamische Abscheidung von a-Si:H6TCO-Schichten für die Hocheffizienz Silizium-Heterojunction Solarzellen als Schlüssel für hochproduktive Fertigung bei reduzierten Herstellkosten

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Das Teilprojekt der FAP besteht in erster Linie in Untersuchung, Design und Konstruktion eines großflächigen Abscheidesystems für die dynamische Deposition von amorphen Siliziumschichten mit hohen Substrattemperaturen bis 400°C für Hocheffizienz Si-Solarzellen Die Aktivitäten der FAP konzentrieren sich hierzu auf folgende Schwerpunkte: - Konzeptdesign eines kostenoptimierten skalierbaren PECVD Elektrodensystems basierend auf vorhandener PECVD Linearquellentechnologie von FAP zur Evaluierung der dynamischen a-Si Abscheidung bei Fraunhofer ISE mit Substrattemperaturen bis 400°C - Entwicklung eines prozesstauglichen Carriers, der einen Substrattransport mit hoher Geschwindigkeit ermöglicht, die Plasmaausbildung nicht negativ beeinflusst und eine gute (möglichst beidseitige) Beschichtungshomogenität ermöglicht Der Fokus liegt auf der Abscheidung Si-basierter Schichten im (dynamischen) in-line PECVD Verfahren im Frequenzbereich bis zu 60MHz. Hierzu wird eine PECVD Linearquellentechnologie der FAP hinsichtlich ihrer Eignung grundlegend untersucht und für die spezielle Anwendung für Hocheffizienz Si-Solarzellen optimiert. Ziele sind Design und Demonstration eines in-line PECVD Tools für die Produktion von Hocheffizienz Si-Solarzellen mit höherem Durchsatz und entsprechend niedrigeren Kosten im Vergleich zu den bisher üblichen statischen PECVD Prozessen