Grenzflächenpräparation mit Durchlaufprozessen für Silizium-Wafersolarzellen der nächsten Generation - GreG
Zeitraum
2009-04-01 – 2012-07-31
Bewilligte Summe
4.200.261,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325116
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Ziel dieses Projektes ist es, die Präparation von Siliciumgrenzflächen mittels neuer Plasma- Enhanced Chemical Vapour-Deposition (PECVD) hergestellter amorph-kristalliner Silicium(a-Si:H)-Schichten besser zu verstehen. Dafür wurden eine PECVD-Anlage für Hetero-Emitter aus amorphem Silicium, eine nass-chemische Durchlaufanlage für sehr dünne Siliciumscheiben (130 Mikrometer) und ein Oxidations- und Diffusionsofen für die Prozessierung von großen Wafern und Chargen aufgebaut und eingefahren. Die in der nass-chemischen Durchlaufanlage konditionierten Grenzflächen wurden sowohl direkt nach der Reinigung als auch nach dem Aufbringen von zum Teil neuartigen Passivierschichten (Siliciumnitrid-Multischichtsysteme und thermisches Siliciumdioxid) sowie nach dem Aufbringen von Heterojunction-Emittern analysiert.
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