2016-05-01  –  2019-10-31

966.682,00 EUR

Institut für Solarenergieforschung GmbH, Emmerthal, Niedersachsen

0324042C

Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]

01169955/1  –  Kombination von passivierten p+/p und n+/n Übergängen mit CVD-Basierten Dotierquellen für p-Typ und n-Typ Siliziumsolarzellen

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

KOMPASS ist ein Verbundprojekt zwischen SCHMID, UKN und ISFH. Erstmals soll Atmospheric Pressure Chemical Enhanced Vapor Deposition (APCVD) als potentiell kostengünstige Abscheidemethode für passivierende Kontakte eingesetzt werden. Diese ganzflächigen Rückseitenkontakte können Löcher-sammelnd ausgeführt werden und somit eine interessante Drop-In Alternative zu den lokalen Rückseitenkontakten heutiger p-Typ-Zellen darstellen, die eine Wirkungsgradsteigerung von mindestens 0.4% erlauben sollte. Alternativ können diese ganzflächigen Rückseitenkontakte auch Elektronen-sammelnd ausgeführt werden und somit in heutigen industriellen n-Typ-Zellen zum Einsatz kommen. Weitere Kostenersparnisse können sich aus Prozessvereinfachungen ergeben, die die Kombination der passivierende Rückseitenkontakte mit der Anwendung von APCVD-Schichten als Quelle zur Dotierung der Zell-Vorderseite erlaubt. KOMPASS gliedert sich in 6 Arbeitspakete: AP1 beinhaltet die Entwicklung von mittels APCVD abgeschiedenen, passivierenden Kontakte. Bevorzugt sollen diese auf Basis von in situ n+ oder p+ dotierten Si-reichen Schichten realisiert werden, welche auf Anlagen von SCHMID abgeschieden werden. AP2 beinhaltet die Entwicklung eines nasschemischen gewachsenen Grenzflächenoxides mit Anlagen von SCHMID. AP3 beinhaltet die Weiterentwicklung von CVD-Schichten zur als Dotierquelle zur Erzeugung von konventionellen Solarzellen-Vorderseiten (n+ und p+). AP4 beinhaltet die Zusammenführung des für beide Prozesse (Herstellung Rück- und Vorderseite der Solarzelle) benötigten Temperaturbudgets. AP5 beinhaltet die Entwicklung der Metallisierung der passivierenden Rückseitenkontakte. AP6 beinhaltet die Integration der passivierenden Rückseitenkontakte in heutige industrielle p- und n-Typ Solarzellen, wobei neben dem Drop-in Ansatz (jeweils nur Integration der neuartigen Rückseite bei konventioneller Vorderseite) auch eine Kombination mit den CVD-basierenden neuartigen Vorderseitenemitter evaluiert werden soll.