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Atomic Layer Deposition für die Oberflächenpassivierung von hocheffizienten Siliziumsolarzellen (ALD)

Zeitraum
2008-05-01  –  2013-01-31
Bewilligte Summe
1.983.894,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325050
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Ziel dieses Vorhabens ist es, das Potenzial von Aluminiumoxid-Schichten, die mit dem Atomic- Layer-Deposition(ALD)-Verfahren abgeschieden werden, für die Oberflächenpassivierung von hocheffizienten kristallinen Siliciumsolarzellen zu evaluieren. Es soll eine ALD-Laboranlage aufgebaut werden, die sowohl Abscheidungen mittels thermischer als auch plasmaunterstützter ALD erlaubt. Darüber hinaus wird ein industrienahes Inline-Tool aufgebaut und evaluiert, das rasche Abscheidungen mit Hilfe der Spatial-ALD-Technik ermöglicht. Die abgeschiedenen Schichten sollen bezüglich ihrer Passivierwirkung optimiert und im Anschluss auf ihre elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften hin detailliert untersucht und in Solarzellen implementiert werden.
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