Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: 'Charakterisierung des dynamischen Defektverhaltens in nativen GaN Bauelementen im Vergleich zu GaN/Si'
Zeitraum
2022-06-01 – 2025-05-31
Bewilligte Summe
559.384,74 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EN4033A
Leistungsplansystematik
Energiesparende Industrieverfahren - Elektrotechnik [EA3253]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN4)
Förderprogramm
Energie
Das Projektes soll das volle Potenzial des Halbleitermaterials GaN für Leistungsanwendungen nutzbar machen. Dies soll durch die Erforschung einer zukunfts-weisenden vertikalen Transistorarchitektur erfolgen mit dem Ziel, leistungsfähige Transistoren mit niedrigen statischen und dynamischen Verlusten und hoher Spannungsfestigkeit auf defektarmen GaN Substraten zu demonstrieren. Dazu werden in einer nationalen Wertschöpfungskette alle Aspekte der Erforschung und Entwicklung eines Leistungsschalters adressiert. Die Wertschöpfungskette erstreckt sich von der Technologie der Substratherstellung und Epitaxie, die Entwicklung eines innovativen Bauelementkonzepts und von zielgerichtete Charakterisierungsmethoden hin zu einer zugeschnittener Aufbau- und Verbindungtechnik. Am Ende steht die Erprobung des Konzepts im System.