Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Innovative Halbleiter
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
1.001.097,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1111C
Leistungsplansystematik
Systemtechnik Netzkopplung [EB1051]
Verbundvorhaben
01231723/1 – GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Aktuell wird erwartet, dass der Einsatz von Galliumnitrid-Leistungshalbleiter-Bauelementen auch in Solar- und Batteriewechselrichtern in den nächsten Jahren attraktiv und realisierbar werden wird. Für die praktische Umsetzung in entsprechende Gerätetechnik bestehen jedoch noch einige relevante technische Probleme, insbesondere bei der Realisierung von Lösungen für Wechselrichter im höheren Leistungsbereich. Vor dem Hintergrund des gemeinsamen Leitziels des Verbundvorhabens insgesamt, Lösungen für diese Herausforderungen zu erforschen und damit die Vorteile von GaN für die Photovoltaik-Wechselrichtertechnik zu erschließen, liegt in diesem Teilvorhaben von Infineon der Schwerpunkt auf der Integration von Galliumnitrid-Halbleitern in Rahmenmodule.