Verbundvorhaben: H3-Netzeffizienz - Verlustoptimale Hochvolt-Halbleiter für HGÜ Netze mit höchster Energieeffizienz; Teilvorhaben Infineon: Neuartige Hochvolt-Halbleiter
Zeitraum
2019-01-01 – 2022-03-31
Bewilligte Summe
1.497.738,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0350055A
Leistungsplansystematik
Netze [EB1820]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESI6)
Förderprogramm
Energie
Das Vorhaben befasst sich mit der Steigerung des Wirkungsgrads selbstgeführter Hochvolt-Gleichstrom-Übertragungs-Stromrichter. Durch die Erforschung neuartiger Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode und Dioden in der Spannungsklasse von 3,3 bis 6,5 Kilovolt, deren Integration in Hochvolt-Gleichstrom-Übertragungs-Power Module und innovative Ansteuerkonzepte sollen die Leistungshalbleiterverluste in Hochvolt-Gleichstrom-Übertragungs-Stromrichtern deutlich reduziert werden. Mit neuartigen Bipolartransistoren soll eine Anhebung der Plasmakonzentration und eine Verbesserung der Kanalleitfähigkeit erreicht werden. Ansteuerkonzepte mit Entsättigungspuls, Feldstärkebegrenzung und Kurzschlussstrombegrenzung reduzieren die Ausschaltverluste und gewährleisten hohe Robustheit. Der Fokus von Infineon liegt in seinem Teilvorhaben auf der Erforschung neuartiger Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode und den dazu gehörigen Freilaufdioden.
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