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Verbundvorhaben: comCIGS II - Grenzflächen und Defekte - Rechnergestützte Optimierung des Wirkungsgrades von CIGS Dünnschichtsolarzellen in der industriellen Umsetzung; Teilvorhaben: Herstellung von Modellsystemen und Charakterisierung

Zeitraum
2012-08-01  –  2016-02-29
Bewilligte Summe
1.016.672,79 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut für Technologie (E-I3) und Institut für heterogene Materialsysteme (E-I2), Berlin
Förderkennzeichen
0325448D

Verbundprojekt; Netzwerkprojekt NANOSTRUKTUREN ZUR LICHT-INDUZIERTEN WASSERSTOFFENTWICKLUNG (H2-NanoSolar) - Entwicklung und charakterisierung von (photo) elektrokatalytisch aktiven und nanostrukturierten Grenzflächen für die Wasserspaltung

Zeitraum
2009-09-01  –  2012-12-31
Bewilligte Summe
925.603,00 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut für Solare Brennstoffe und Energiespeichermaterialien (E-I6), Berlin
Förderkennzeichen
03SF0353A

SISSY: Silizium In-situ Spektroskopie am Synchrotron

Zeitraum
2011-01-01  –  2017-12-31
Bewilligte Summe
6.052.290,48 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
03SF0403

Verbundvorhaben: TopShot - Technologie und Wirkprinzipien siliciumbasierter Heteroübergang-Solarzellen; Teilprojekt: Grundlagen und physikalische Wirkprinzipien von siliziumbasierten Heteroübergang-Solarzellen

Zeitraum
2009-06-01  –  2012-11-30
Bewilligte Summe
523.273,87 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
0325114B

Verbundvorhaben: LIST - Großflächiger Lichteinfang in der Silizium-basierten Dünnschichtsolarzellen-Technologie; Teilvorhaben: Niedrig absorbierende Frontkontaktsysteme

Zeitraum
2011-06-01  –  2014-12-31
Bewilligte Summe
1.329.403,00 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
0325299E

Verbundvorhaben: EPR-Solar - Ultrahochauflösende EPR - Spektroskopie an Dünnschichtsilizium für die Solarenergieforschung

Zeitraum
2008-01-01  –  2013-04-30
Bewilligte Summe
2.240.712,99 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
03SF0328A

Verbundprojekt SINOVA: Siliziumbasierte nanostrukturierte Dünnschichtmaterialien als innovative funktionale Elemente für Solarzellen der nächsten Generation - SINOVA, HZB-Teilvorhaben: Si-Nanodot-Funktionsschichten

Zeitraum
2009-03-01  –  2012-02-29
Bewilligte Summe
400.628,87 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
03SF0352G

Verbundvorhaben: Großflächige Laseroberflächenbehandlung für effiziente Silizium-Dünnschichtsolarzellen - Globe-Si; Teilprojekt: Schichtmodifikation und Einfluss rauer Substrate und Nanostrukturen

Zeitraum
2012-06-01  –  2015-12-31
Bewilligte Summe
921.207,00 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
0325446A

Verbundvorhaben: Lichtmanagement für industriell gefertigte Silizium-Dünnschichtsolarmodule - LIMA -; Teilprojekt: Strukturelle und elektrische Charakterisierung und Detailanalyse von texturierten TCO-Schichten und Silizium-Dünnschichtsolarzellen und -modulen

Zeitraum
2007-07-01  –  2010-12-31
Bewilligte Summe
555.290,00 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
0327693H

Optimierung und Transfer der Elektronenstrahl-Rekristallisationstechnologie für kristalline Dickschicht-Silizium-Solarzellen mit a-Si-Emitter auf Float-Glas

Zeitraum
2010-06-01  –  2012-07-31
Bewilligte Summe
505.570,00 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung - Institut Silizium-Photovoltaik (E-I1), Berlin
Förderkennzeichen
0325200