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Verbundvorhaben: Epi-POESIE - Epitaktische Wafer for High-End-Zellkonzepte unter Zuhilfenahme von prozessbegleitender Charakterisierung an statistisch relevanten Stückzahlen, Teilvorhaben: Innovative Prozessierung . und Qualitätsoptimierung von epitaktischen Wafern

Zeitraum
2018-10-01  –  2020-09-30
Bewilligte Summe
1.201.230,00 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg im Breisgau, Baden-Württemberg
Förderkennzeichen
0324290B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01183193/1  –  Epi-POESIE - Epitaktische Wafer für High-End-Zellkonzepte unter Zuhilfenahme von prozessbegleitender Charakterisierung an statistisch relevanten Stückzahlen
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Die Kosten für den Siliciumwafer einer Siliciumsolarzelle machen ca. 40% der Solarzellenmodulkosten aus. Diese gilt es signifikant zu reduzieren, um die Ziele des 6. Rahmenprogramms zu erreichen. Die EpiWafer-Technologie bietet hierbei enorme Kostensenkungspotentiale für photovoltaisch erzeugte Elektrizität. Epitaktisch gewachsene Wafer können bis zu 50% günstiger produziert werden verglichen mit herkömmlichen einkristallinen Siliciumwafern und können potentiell sogar höhere Qualitäten erreichen. In Laboranlagen konnten EpiWafer bereits die Qualität von einkristallinen Czochralskiwafern übertreffen. Beim Übertrag der Prozesse auf hochdurchsatztaugliche Verfahren und Anlagen konnte bisher dieselbe Qualität noch nicht demonstriert werden. Ziel des Verbundvorhabens ist es, diesen Qualitätsübertrag durch EpiWafer mit Ladungsträgerlebensdauern größer 4ms in Hochdurchsatzanlagen zu demonstrieren. In dem Teilvorhaben sollen Benchmark-Prozesse für die Reorganisation und Epitaxie in einer Mikroelektronikanlage für höchste Ladungsträger-Lebensdauern gleich 6 ms entwickelt werden. Der Ansatz soll die Entwicklung höchstqualitativer Inline Prozesse für Reorganisation und Epitaxie welche Ladungsträgerlebensdauern größer 4 ms ermöglichen.
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