Verbundvorhaben: EpiPower - Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer; Teilvorhaben: Prozessentwicklung für Hochdurchsatz inline-Anlagen zur Herstellung und inline Charakterisierung für Epiaktische Wafer
Zeitraum
2016-11-01 – 2018-10-31
Bewilligte Summe
1.778.455,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324135B
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01174995/1 – Prozess-und Anlagenentwicklung für epiaktisch prozessierte Wafer
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Das Verbundprojekt EpiPower adressiert mit dem sogenannten epitaktischen Wafer 'EpiWafer' das Problem extrem schlechter Ressourcenausbeute bei der klassischen Herstellung von monokristallinen Siliciumwafern für die Photovoltaik (etwa zwei Drittel des hochreinen polykristallinen Siliciums gehen verloren). Übergeordnetes Ziel des EpiPower Projekts ist es, die Qualität des EpiWafer auf das Niveau höchstqualitativer klassisch hergestellter n-Typ-Wafer zu heben. Die Arbeiten im Teilverbundvorhaben EpiPower durchgeführt vom Faunhofer ISE decken die gesamte Wertschöpfungskette des EpiWafers von der Porosifikation der Ablöseschicht/des Templates, über die Reorgansiation und Epitaxie bis hin zur Herstellung von hocheffizienten Solarzellen ab. Darüber hinaus soll ein Inline Verfahren zur lückenlosen Charakterisierung aller EpiWafer entwickelt werden.
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