2013-07-01  –  2014-12-31

1.493.747,96 EUR

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen, Bayern

0325646C

Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]

01145489/1  –  ENOWA: Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si Wafer

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung hoch- und kosteneffizienter Photovoltaik-Sillicium-Wafer, die für die Produktion von Hochleistungszellen und -modulen genutzt werden sollen. Die Qualitätszielstellung sind einkristalline Wafer mit vergleichbaren Eigenschaften, die im Czochralski-Verfahren hergestellte Wafer aufweisen. Die Kostenzielstellung des Kristallisationsprozesses wird durch die etablierten Prozesse der gerichteten Erstarrung vorgegeben. Die Ladungsträgerlebensdauer des nach dem neuen Verfahren kristallisierten Materials wird signifikant gesteigert. Zur Verarbeitung dieser Materialien werden Trennverfahren mit gebundenem Korn entwickelt: Damit sollen die geometrischen Eigenschaften verbessert und die Konzentration von Verunreinigungen auf der Waferoberfläche gesenkt werden. Die Kostenzielstellung dieses Verfahrens liegt unter dem des Slurry-Prozesses.