Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung eines Demonstrators für PV-Anwendungen auf GaN Basis
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
1.000.681,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EE1111A
Leistungsplansystematik
Systemtechnik Netzkopplung [EB1051]
Verbundvorhaben
01231723/1 – GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ziel des Verbundforschungsvorhabens GaN-HighPower ist es, die nächste Generation kostengünstiger, ressourcenschonender und effizienter Stromrichter für Photovoltaikanwendungen zu erforschen, wobei der Fokus auf Stringwechselrichtern mit größerer Leistung. Hierfür sollen Galliumnitrid (GaN) Halbleitermodule zusammen mit anwendungsorientiert stark verbesserten induktiven Bauelementen erforscht und erprobt werden. Bisher ist die Anwendung der GaN Technologie auf deutlich kleinere Leistungsbereiche beschränkt. Im Rahmen des Projekts soll der höhere Leistungsbereich durch anwendungsorientierte Forschung für die PV erschlossen werden. Leistungshalbleiter auf Basis von Galliumnitrid (GaN) bieten einen hohen Wirkungsgrad bei hohen Spannungen und hohen Schaltfrequenzen auf einem Niveau, das über den Fähigkeiten von Silizium-IGBT- und Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) Leistungsschaltern liegt. Die Arbeiten des Fraunhofer IEE konzentrieren sich auf die Realisierung eines Demonstrators und optimierte Ansteuerverfahren für hohe Schaltfrequenzen um das Potential der neuen Technologie aufzuzeigen.