Einfluss von inneren und äusseren Grenzflächen auf den Wirkungsgrad von photovoltaischen Zellen auf Silizium-Basis
Zeitraum
1991-04-01 – 1991-12-31
Bewilligte Summe
189.740,42 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0329216A/0
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Ziel des Projektes war es, Einflussfaktoren auf Photovoltaikzellen auf Silizium-Basis festzustellen. Dazu wurde eine Technologiestrecke für c-Si-Modellzellen (2x2 cm²) eingerichtet, um den Einfluss von Einzelschritten auf die Zelleigenschaften verfolgen zu können. Ein Vorteil dabei ist, dass der kristalline Zustand bekannte elektronische Eigenschaften von Volumen und Grenzflächen besitzt, die einen sicheren Bezugspunkt bilden. Die Diagnostik erfolgte auf Basis von elektrischen und photoelektrischen Methoden. Zusätzlich wurden Simulationsrechnungen durchgeführt. Ein Schwerpunkt der Untersuchungen lag auf der Beziehung zu strukturellen Eigenschaften.
Es konnten neue Erkenntnisse in Bezug auf die dynamischen Prozesse an den Grenzflächen (Oberflächenrekombination, Ladungstransfer und Degradation), in Bezug auf die Schichteigenschaften von SIPOS- und feinkristallinen Si-Schichten, in Bezug auf die Niedertemperaturpassivierung sowie in Bezug auf die Stabilität von Kontakten gewonnen werden.
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