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Verbundvorhaben: 'Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si Wafer (ENOWA_II); Teilvorhaben: Simulation von Spannungsverteilung und Versetzungsgeneration in Quasi-Mono-Silizium-Blöcken aus industrieller Fertigung'

Zeitraum
2015-01-01  –  2016-06-30
Bewilligte Summe
300.000,00 EUR
Ausführende Stelle
ACCESS e.V., Aachen, Nordrhein-Westfalen
Förderkennzeichen
0325805J
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01158902/1  –  Entwicklung hocheffizienter und kosteneffizienter PV-Si-Wafer
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Im Verbundprojekt ENOWA II soll durch das Konzept eines neuartigen Erstarrungsverfahrens für monokristallines Silizium gegenüber den gängigen Verfahren von mc-Si und cz-Si die Materialqualität gesteigert, die Ausbeute an nutzbaren Wafern erhöht und somit die spezifischen Herstellkosten für Photovoltaik aus kristallinem Silizium verringert werden. Dies wird in diesem Teilprojekt durch Weiterentwicklung und Nutzung numerischer Simulationsmodelle zur thermischen und mechanischen Abbildung des Kristallisationsprozesses unterstützt, wobei Schwerpunkt und Zielrichtung auf Test und Ertüchtigung eines bei SolarWorld neu zu installierenden tiegelfreien mono-Kristallisationsprozesses liegen werden. Die Arbeiten umfassen die Aufstellung eines thermischen Modells der Kristallisationsanlage in mehreren Stufen (stationär, mit Schmelzenströmung, mit wachsendem Kristall), die Weiterentwicklung eines Modells zur Generation von Versetzungen und Versetzungsclustern aufgrund thermomechanischer Spannungen sowie zur Vorhersage der Verteilung von Restspannungen im abgekühlten Kristall. Mit dem so erstellten und durch Verifikationsexperimente kalibrierten Simulationsmodell sollen in Zusammenarbeit mit SWIN Ofen- und Prozessverbesserungen erzielt werden.
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