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Verbundvorhaben: SiC4D – Etablierung einer versorgungssicheren und resilienten Wertschöpfungskette für die Herstellung von SiC-Leistungselektronik in Deutschland; Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchung zur Beurteilung des Einflusses von Spannungen im Kristall

Zeitraum
2026-03-01  –  2029-02-28
Bewilligte Summe
777.288,03 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Förderkennzeichen
03EN4124A

Verbundvorhaben: SiC4D – Etablierung einer versorgungssicheren und resilienten Wertschöpfungskette für die Herstellung von SiC-Leistungselektronik in Deutschland; Teilvorhaben: Entwicklung einer Technologielinie zur Herstellung von 200 mm 4H-SiC Substraten mit hoher Qualität und reduzierter Dicke

Zeitraum
2026-03-01  –  2029-02-28
Bewilligte Summe
883.420,43 EUR
Ausführende Stelle
SiCrystal GmbH, Nürnberg
Förderkennzeichen
03EN4124B

Verbundvorhaben: SiC4D – Etablierung einer versorgungssicheren und resilienten Wertschöpfungskette für die Herstellung von SiC-Leistungselektronik in Deutschland; Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchung zur Beurteilung des Einflusses von Spannungen im Kristall

Zeitraum
2026-03-01  –  2029-02-28
Bewilligte Summe
543.752,39 EUR
Ausführende Stelle
SILTECTRA GmbH, Dresden
Förderkennzeichen
03EN4124C

Verbundvorhaben: SiC4D - Etablierung einer versorgungssicheren und resilienten Wertschöpfungskette für die Herstellung von SiC-Leistungselektronik in Deutschland; Teilvorhaben: Grundlegende Entwicklung einer Messmethodik zur Bestimmung des Spannungszustandes an 200 mm SiC-Kristallen und -Wafern

Zeitraum
2026-03-01  –  2029-02-28
Bewilligte Summe
194.742,36 EUR
Ausführende Stelle
ilis gmbh, Erlangen
Förderkennzeichen
03EN4124D