Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Entwicklung und Untersuchung von verbesserten Kristall-Züchtungsbedingungen zur Erstellung von großflächigen GaN-Wafern
Zeitraum
2022-06-01 – 2025-05-31
Bewilligte Summe
836.061,87 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EN4033B
Leistungsplansystematik
Energiesparende Industrieverfahren - Elektrotechnik [EA3253]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN4)
Förderprogramm
Energie
Ziel des vorgeschlagenen Projektes ist es, das volle Potenzial des Halbleitermaterials GaN für Leistungsanwendungen nutzbar zu machen. Dies soll durch die Erforschung einer zukunftsweisenden vertikalen Transistorarchitektur erfolgen mit dem Ziel, leistungsfähige Transistoren mit niedrigen statischen und dynamischen Verlusten und hoher Spannungsfestigkeit auf defektarmen GaN Substraten zu demonstrieren. Dazu werden in einer nationalen Wertschöpfungskette alle Aspekte der Erforschung und Entwicklung eines Leistungsschalters adressiert. Die Wertschöpfungskette erstreckt sich von der Technologie der Substratherstellung und Epitaxie, der Entwicklung eines innovativen Bauelementkonzepts und von zielgerichteten Charakterisierungs-methoden hin zu einer zugeschnittenen Aufbau- und Verbindungstechnik. Am Ende soll das Konzept im System erprobt werden.