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Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: 'Charakterisierung des dynamischen Defektverhaltens in nativen GaN Bauelementen im Vergleich zu GaN/Si'

Zeitraum
2022-06-01  –  2025-05-31
Bewilligte Summe
559.384,74 EUR
Ausführende Stelle
Infineon Technologies AG - IFAG F OP RD FO, Neubiberg
Förderkennzeichen
03EN4033A

Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Entwicklung und Untersuchung von verbesserten Kristall-Züchtungsbedingungen zur Erstellung von großflächigen GaN-Wafern

Zeitraum
2022-06-01  –  2025-05-31
Bewilligte Summe
836.061,87 EUR
Ausführende Stelle
Freiberger Compound Materials Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Freiberg
Förderkennzeichen
03EN4033B

Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Aufbau- und Verbindungstechnik für vertikale GaN-Bauelemente und deren Ansteuerung

Zeitraum
2022-06-01  –  2025-05-31
Bewilligte Summe
689.966,46 EUR
Ausführende Stelle
Siemens Aktiengesellschaft - Corporate Technology - T REE ELM SPT, München
Förderkennzeichen
03EN4033C

Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Untersuchungen und Anpassungen von CVD-Anlagen und in-situ Messtechnik für ein innovatives Monitoring des Schichtwachstums auf nativen GaN Substraten

Zeitraum
2022-06-01  –  2025-05-31
Bewilligte Summe
744.057,66 EUR
Ausführende Stelle
AIXTRON SE, Herzogenrath
Förderkennzeichen
03EN4033D

Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV (HoverGaN); Teilvorhaben: Innovative Charakterisierung und Identifikation Bauelementkritischer Defekte: Hover-GaN-DefektIdent

Zeitraum
2022-06-01  –  2025-05-31
Bewilligte Summe
873.602,77 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Förderkennzeichen
03EN4033E

Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV Teilprojekt FBH: Entwicklung von vertikalen FinFETs auf GaN Substraten

Zeitraum
2022-06-01  –  2025-05-31
Bewilligte Summe
1.030.498,05 EUR
Ausführende Stelle
Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin
Förderkennzeichen
03EN4033F