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Beginn
2020-2029 (6)
Bewilligte Summe
200.000 EUR-500.000 EUR (3)
500.000 EUR-1 Mio. EUR (1)
1 Mio. EUR-2 Mio. EUR (2)
Land
Bayern (1)
Hessen (3)
Nordrhein-Westfalen (2)
Zuwendungsgeber
BMWK (6)
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6 Vorhaben gefunden
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Verbundvorhaben - (A-Z)
Verbundvorhaben - (Z-A)
Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung und Bereitstellung von Induktivitäten und Stromsensoren
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
262.705,00 EUR
Ausführende Stelle
Vacuumschmelze GmbH & Co. KG, Hanau
Förderkennzeichen
03EE1111D
Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Gekoppelte Wickelgüter auf Basis von niederpermeablen Bandkernen: Möglichkeiten, Grenzen, Benchmark
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
319.104,00 EUR
Ausführende Stelle
Technische Hochschule Köln - Fakultät für Informations-, Medien- und Elektrotechnik - Institut für Automatisierungstechnik (IA), Köln
Förderkennzeichen
03EE1111F
Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Analyse von Technologieoptionen für den optimalen GaN-Einsatz im Gerät
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
433.904,00 EUR
Ausführende Stelle
SMA Solar Technology AG, Niestetal
Förderkennzeichen
03EE1111B
Verbundvorhaben: GaN-Highpower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Ansteuerverfahren und Treiber
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
556.808,00 EUR
Ausführende Stelle
Hochschule Bonn-Rhein-Sieg - Fachbereich Elektrotechnik, Maschinenbau und Technikjournalismus (EMT), Sankt Augustin
Förderkennzeichen
03EE1111E
Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung eines Demonstrators für PV-Anwendungen auf GaN Basis
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
1.000.681,00 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Energiewirtschaft und Energiesystemtechnik (IEE), Kassel
Förderkennzeichen
03EE1111A
Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Innovative Halbleiter
Zeitraum
2021-05-01 – 2025-04-30
Bewilligte Summe
1.001.097,00 EUR
Ausführende Stelle
Infineon Technologies AG, Neubiberg
Förderkennzeichen
03EE1111C