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Thema FKZ Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung eines Demonstrators für PV-Anwendungen auf GaN Basis 03EE1111A Fraunhofer-Institut für Energiewirtschaft und Energiesystemtechnik (IEE)
Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Analyse von Technologieoptionen für den optimalen GaN-Einsatz im Gerät 03EE1111B SMA Solar Technology AG
Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Innovative Halbleiter 03EE1111C Infineon Technologies AG
Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung und Bereitstellung von Induktivitäten und Stromsensoren 03EE1111D Vacuumschmelze GmbH & Co. KG
Verbundvorhaben: GaN-Highpower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Ansteuerverfahren und Treiber 03EE1111E Hochschule Bonn-Rhein-Sieg - Fachbereich Elektrotechnik, Maschinenbau und Technikjournalismus (EMT)
Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Gekoppelte Wickelgüter auf Basis von niederpermeablen Bandkernen: Möglichkeiten, Grenzen, Benchmark 03EE1111F Technische Hochschule Köln - Fakultät für Informations-, Medien- und Elektrotechnik - Institut für Automatisierungstechnik (IA)