result_filter
Beginn
Bewilligte Summe
Land
Zuwendungsgeber
search_results: 6 Vorhaben gefunden
sorting:

Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung eines Demonstrators für PV-Anwendungen auf GaN Basis

Zeitraum
2021-05-01  –  2025-04-30
Bewilligte Summe
1.000.681,00 EUR
Ausführende Stelle
Fraunhofer-Institut für Energiewirtschaft und Energiesystemtechnik (IEE), Kassel
Förderkennzeichen
03EE1111A

Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Analyse von Technologieoptionen für den optimalen GaN-Einsatz im Gerät

Zeitraum
2021-05-01  –  2025-04-30
Bewilligte Summe
433.904,00 EUR
Ausführende Stelle
SMA Solar Technology AG, Niestetal
Förderkennzeichen
03EE1111B

Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Innovative Halbleiter

Zeitraum
2021-05-01  –  2025-04-30
Bewilligte Summe
1.001.097,00 EUR
Ausführende Stelle
Infineon Technologies AG, Neubiberg
Förderkennzeichen
03EE1111C

Verbundvorhaben: GaN-HighPower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Entwicklung und Bereitstellung von Induktivitäten und Stromsensoren

Zeitraum
2021-05-01  –  2025-04-30
Bewilligte Summe
262.705,00 EUR
Ausführende Stelle
Vacuumschmelze GmbH & Co. KG, Hanau
Förderkennzeichen
03EE1111D

Verbundvorhaben: GaN-Highpower - Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Ansteuerverfahren und Treiber

Zeitraum
2021-05-01  –  2025-04-30
Bewilligte Summe
556.808,00 EUR
Ausführende Stelle
Hochschule Bonn-Rhein-Sieg - Fachbereich Elektrotechnik, Maschinenbau und Technikjournalismus (EMT), Sankt Augustin
Förderkennzeichen
03EE1111E

Verbundvorhaben: GaN-HighPower – Kosten- und gewichtseffiziente PV- und Batterie-Wechselrichter großer Leistung für internationale Märkte der Zukunft durch Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter; Teilvorhaben: Gekoppelte Wickelgüter auf Basis von niederpermeablen Bandkernen: Möglichkeiten, Grenzen, Benchmark

Zeitraum
2021-05-01  –  2025-04-30
Bewilligte Summe
319.104,00 EUR
Ausführende Stelle
Technische Hochschule Köln - Fakultät für Informations-, Medien- und Elektrotechnik - Institut für Automatisierungstechnik (IA), Köln
Förderkennzeichen
03EE1111F