2014-10-01  –  2018-09-30

626.295,00 EUR

Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin, Berlin

0325762G

Dünnschichttechnologien Chalkopyrite [EB1022]

01155821/1  –  Transparente Leitende Schichten (TCO) für CIGS Absorber

Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)

Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)

Energie

Das Teilvorhaben widmet sich der Entwicklung von Wasserstoff-dotiertem Indiumoxid (In2O3:H) als Ersatz für die aktuell verwendete Fensterschicht aus Aluminium-dotierten Zinkoxid (ZnO:Al). Ziel ist die Entwicklung optimaler Prozessparameter zur Deposition von In2O3:H auf CIGS bei gleichzeitiger Steigerung des Wirkungsgrads um bis zu 2%, zu vergleichbaren Kosten. Im Gesamtkonsortium findet eine Bewertung der Ergebnisse statt, welche auch eine Auswahl der vielversprechendsten Technologien vornimmt. An der Festlegung der Bewertungskriterien und Auswahl ist das HZB beteiligt. Um die In2O3:H Schicht in CIGS-Solarzellen verwenden zu können, muss eine genaue Analyse der Grenzflächen geschehen, insbesondere der Einfluss einer thermischen Behandlung zur Kristallisierung der In2O3:H Schicht kann zu unerwünschten negativen Effekten führen. Das HZB stellt dazu notwendige Messmethoden zur Verfügung. Zudem arbeitet das HZB an der Untersuchung der Funktion des i-ZnO, welches zwischen der Pufferschicht und Fensterschicht als Anpassungsschicht verwendet wird, und prüft einen Ersatz durch gesputtertes Zn(O,S). Das Arbeitspaket 3.1 dient der Entwicklung eines Prozesses für einen innovativen Frontkontakt für CIGS-Solarzellen auf Basis eines transparent leitfähigen Wasserstoff-dotierten Indiumoxids (In2O3:H) (Entwicklung In2O3:H) und gliedert sich in drei Unterarbeitspakete: AP3.1.1: Deposition und Charakterisierung von In2O3:H auf Glassubstraten, AP3.1.2: Deposition und Charakterisierung von In2O3:H auf HZB CIGS/Zn(O,S) Schichten, AP3.1.3: Deposition Deposition und Charakterisierung von In2O3:H auf Industrie