Verbundvorhaben HighPERC - Hocheffiziente PERC Solarzellen mit produktionstauglicher Zellrückseite, Teilvorhaben SINGULUS: Verbesserte nasschemische Politur- und Reinigungsprozesse sowie Beschichtungsprozesse zur Passivierung der Zellrückseite
Zeitraum
2014-09-01 – 2017-12-31
Bewilligte Summe
336.283,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0325753A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Zellenentwicklung [EB1012]
Verbundvorhaben
01154676/1 – Hocheffiziente PERC Solarzellen mit produktionstauglicher Zellrückseite
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Im HighPERC Projekt wird ein neuer, verbesserter, industrietauglicher Prozess zur Herstellung hocheffizienter PERC Silizium Solarzellen mit Wirkungsgraden größer 21,5% entwickelt. Die beteiligten Anlagenbauer SINGULUS, LPKF und DEK entwickeln dabei mit Unterstützung des ISFH die neuen Einzelprozesse, z.B. nasschemische Verfahren, Plasmabeschichtung, Laser- und Druckprozesse. Im von SINGULUS bearbeiteten Teilvorhaben werden produktionstaugliche Prozesse zur chemischen Vorbehandlung der Zellrückseite und die Abscheidung von AlOx/SiNy-Passivier-Schichtsystemen weiterentwickelt und in Kombination optimiert. Dies geschieht in Abhängigkeit des verwendeten Siliziummaterials und in Wechselwirkung mit den weiteren im Verbundprojekt erarbeiteten Einzelprozessen. Durch die Integration aller Einzelprozesse soll ein industrietauglicher Gesamtprozess zur Herstellung von hocheffizienten PERC-Solarzellen mit Wirkungsgraden größer 21,5% bzw. 19,0% auf Basis von mono- bzw. multikristallinen Wafern entwickelt werden. Das HighPERC Projekt gliedert sich in sechs technische Arbeitspakete. Die Arbeiten im von SINGULUS durchzuführenden Teilvorhaben 'Einseitenpolitur und ICP AlOx/SiNy Rückseitenpassivierung' fallen unter Leitung von SINGULUS in den Arbeitspaketen 'Projektleitung', 'Einseitenpolitur und Rückseitenpassivierung' und 'PERC Produktionsprozess' an. Unter Verwendung der vorhandenen Anlagen SINGULAR zur ICP PECVD-Abscheidung von AlOx/SiNy-Passivierschichten und LINEA für einseitige, nasschemische Ätzverfahren sollen in diesem Teilvorhaben zusammen mit den Kooperationspartnern folgende Ziele erreicht werden: - LINEA Politur erreicht Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeiten S < 10 cm/s mit Referenz-Passivierung - ICP PECVD AlOx/SiNy-Schichten erreichen S < 10 cm/s auf Referenzsubstrat - ICP-Passivierung auf LINEA Politur erreicht S < 10 cm/s - PERC Zellen (Produktionsprozess) erreichen Wirkungsgrade über 21,5 % (mono) und 19,0 % (multi)
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