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search_results: 23 Vorhaben gefunden
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Entwicklung einer neuen Dünnschichttechnologie für die Photovoltaik: CSVT-Verfahren im offenen System zur Herstellung von ZnSe/CuGa Se2-Heterodioden

Zeitraum
1996-08-01  –  2000-07-31
Bewilligte Summe
3.476.856,29 EUR
Ausführende Stelle
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin
Förderkennzeichen
0329740 /6

Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: Erforschung CVD Technologie für SiC

Zeitraum
2024-06-01  –  2027-05-31
Bewilligte Summe
12.004.121,48 EUR
Ausführende Stelle
AIXTRON SE, Herzogenrath
Förderkennzeichen
03EN4084A

Verbundvorhaben: MOCVD4.2 - Optimierte Produktion von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung; Teilvorhaben: Optimierung der MOCVD-Technologie

Zeitraum
2019-01-01  –  2021-12-31
Bewilligte Summe
12.261.339,00 EUR
Ausführende Stelle
AIXTRON SE, Herzogenrath
Förderkennzeichen
0324237A