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Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Untersuchungen und Anpassungen von CVD-Anlagen und in-situ Messtechnik für ein innovatives Monitoring des Schichtwachstums auf nativen GaN Substraten

Zeitraum

2022-06-01 – 2025-05-31

Bewilligte Summe

744.057,66 EUR

Ausführende Stelle

AIXTRON SE, Herzogenrath

Förderkennzeichen

03EN4033D

Verbundvorhaben MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium - Strukturelle Charakterisierung von Solarzellenstrukturen mittels Elektronenmikroskopie -

Zeitraum

2015-09-01 – 2019-02-28

Bewilligte Summe

819.134,02 EUR

Ausführende Stelle

Philipps-Universität Marburg - Fachbereich Physik und WZMW, Marburg

Förderkennzeichen

03SF0525C

Neue Pufferschichten mit MOCVD-Verfahren für CIS-Solarmodule (NePuMOC)

Zeitraum

2005-03-01 – 2008-04-30

Bewilligte Summe

972.374,00 EUR

Ausführende Stelle

AIXTRON SE, Herzogenrath

Förderkennzeichen

0327501B

Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: Umsetzung von KI-gestützten Optimierungsstrategien für fortschrittliche Halbleiterproduktion

Zeitraum

2024-06-01 – 2027-05-31

Bewilligte Summe

1.198.637,35 EUR

Ausführende Stelle

bimanu Cloud Solutions GmbH, Neuss

Förderkennzeichen

03EN4084C

Herstellung Organischer Solarzellen durch Organic Vapour Phase Deposition (OVPD)

Zeitraum

2003-12-01 – 2007-11-30

Bewilligte Summe

1.213.222,00 EUR

Ausführende Stelle

AIXTRON SE, Herzogenrath

Förderkennzeichen

0329927B

Verbundvorhaben: MOCVD4.2 - Optimierte Produktion von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung; Teilvorhaben: Analyse und Bewertung der Effekte bezüglich der Bauelemente für die Leistungselektronik

Zeitraum

2019-01-01 – 2021-12-31

Bewilligte Summe

1.228.897,44 EUR

Ausführende Stelle

Institut für Mikroelektronik Stuttgart, Stuttgart

Förderkennzeichen

0324237C

Verbundvorhaben MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium - 'Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium' -

Zeitraum

2015-09-01 – 2019-02-28

Bewilligte Summe

1.375.692,93 EUR

Ausführende Stelle

Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE), Freiburg im Breisgau

Förderkennzeichen

03SF0525A

Herstellung Organischer Solarzellen durch Organic Vapour Phase Deposition (OVPD)

Zeitraum

2003-12-01 – 2007-11-30

Bewilligte Summe

1.783.634,00 EUR

Ausführende Stelle

Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin

Förderkennzeichen

0329927A

MOCVD4.1 - Optimierte Produktion (MOCVD 4.0) von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung

Zeitraum

2017-09-01 – 2018-08-31

Bewilligte Summe

2.007.235,00 EUR

Ausführende Stelle

AIXTRON SE, Herzogenrath

Förderkennzeichen

0324237

Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: SiC-Epitaxieentwicklung für die nächste Bauelementegeneration

Zeitraum

2024-06-01 – 2027-05-31

Bewilligte Summe

2.170.068,95 EUR

Ausführende Stelle

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie, Erlangen

Förderkennzeichen

03EN4084B

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