details_view: 1 von 4

 

Verbundvorhaben: EpiPower - Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer; Teilvorhaben: Medienrecycling für Atmosphärendruck Silicium-Epitaxieprozesse

Zeitraum
2016-11-01  –  2018-12-31
Bewilligte Summe
140.089,95 EUR
Ausführende Stelle
centrotherm clean solutions GmbH, Blaubeuren, Baden-Württemberg
Förderkennzeichen
0324135D
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01174995/1  –  Prozess-und Anlagenentwicklung für epiaktisch prozessierte Wafer
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
 
Das Teilprojekt 'Medienrecycling für Atmosphärendruck Silicium-Epitaxieprozesse' ist Teil des Verbundprojektes 'Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer'. Basierend auf den bisherigen Erfahrungen der centrotherm clean solutions GmbH & Co. KG im Bereich Abgasbehandlung und -recycling, soll ein detailliertes Verfahrenskonzept zum Medienrecycling des atmosphärischen Epitaxie-Prozesses zur Wafer-Herstellung entwickelt werden. Besondere Herausforderungen sind hierbei die erforderliche Rück- und Kreislaufführung der zurückgewonnenen Medien, die technische und energetische Optimierung, einschließlich der Sicherheitsbetrachtung. Es wird eine enge verfahrenstechnische Kopplung von Prozess-Anlage und Medienrecycling benötigt und die hohen Reinheitsanforderungen an die über das Recycling in den Prozess zurückgeführten Medien müssen erfüllt werden. Ziel des Projektes ist es, durch Optimierungsmaßnahmen an einer Pilotanlage mit Konzeptionierung und Test verschiedener Varianten ein Konzept für ein technisch und gleichzeitig wirtschaftlich sinnvolles Recycling für Chlorsilane und Wasserstoff zu erstellen, das die Reinheitsanforderungen der Solarindustrie und speziell des NexWafe-Prozesses erfüllt. Das Konzept soll nach Projektende für den Bau einer großen Produktionsanlage für epitaktisch prozessierte Wafer verwendet werden können.
Weitere Informationen