Verbundvorhaben: EpiPower - Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer; Teilvorhaben: Entwicklung von Hochdurchsatz inline-Anlagen für anodisch geätzte poröse Siliziumschichten
Zeitraum
2016-11-01 – 2018-12-31
Bewilligte Summe
146.089,85 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324135C
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01174995/1 – Prozess-und Anlagenentwicklung für epiaktisch prozessierte Wafer
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Ein wesentlicher Teilschritt der neuartigen EpiWafer-Technologie ist die Porosizierung eines Silizium-Saatwafers mittels elektrochemischen Ätzens zur Erzeugung einer Ablöseschicht. Das Vorhaben behandelt schwerpunktmäßig die Entwicklung und Konstruktion einer Inline-Produktionsanlage für die anodische Porosizierung von Silizium mit einem Durchsatz von > 6000 Wafern / Stunde. Damit ist es möglich, die EpiWafer-Technologie in die industrielle Anwendung zu überführen.
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