Verbundvorhaben: EpiPower - Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer; Teilvorhaben: Entwicklung von Hochdurchsatz-Prozessen und Anlagen für epiaktische Wafer
Zeitraum
2016-11-01 – 2018-12-31
Bewilligte Summe
1.429.327,00 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
0324135A
Leistungsplansystematik
Kristallines Silizium Basismaterial [EB1011]
Verbundvorhaben
01174995/1 – Prozess-und Anlagenentwicklung für epiaktisch prozessierte Wafer
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESE1)
Förderprogramm
Energie
Die im Projekt EpiPower verfolgte Technologie der epitaktischen Wafer (EpiWafer) bietet die Möglichkeit, Material-, Energie- und Investitionsaufwand zur Waferherstellung deutlich zu reduzieren und gleichzeitig die Qualität der erzeugten Wafer zu erhöhen. Die EpiWafer werden hierbei per Epitaxie direkt aus der Gasphase auf einen mit einer Trennschicht versehenen einkristalliner Saatwafer hergestellt. Die Trennschicht ermöglicht nach der Abscheidung des EpiWafers die Trennung vom Saatwafer, was die vielfache Wiederverwendung des Saatwafers ermöglicht. Hierzu sollen im Teilvorhaben EpiPower die zur EpiWafer Herstellung benötigten Einzelschritte hinsichtlich maximal möglicher Waferqualität optimiert werden, bevorzugt auf Equipment welches prinzipiell für sehr hohe Durchsätze skalierbar ist. Ziel ist es die dem Prozess inhärenten Kostenvorteile zu bewahren aber Materialqualitäten zu erreichen die den besten konventionell kristallisierten Siliciumwafer für die Photovoltaik gleich kommt oder übertrifft.
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