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Thema FKZ Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Entwicklung und Untersuchung von verbesserten Kristall-Züchtungsbedingungen zur Erstellung von großflächigen GaN-Wafern 03EN4033B Freiberger Compound Materials GmbH
'EneRed' - Reduzierung des Gesamtenergieverbrauchs bei der Herstellung von Verbindungshalbleitersubstraten 03ET1331A Freiberger Compound Materials GmbH
'EcoCrys' - Entwicklung eines energieeffizienten Kristallisationsverfahrens für Halbleiter 0327437A Freiberger Compound Materials GmbH
Verbundvorhaben Enkrist: Energieeinsparung bei der Herstellung von besseren Karbid- und Nitrid-Halbleiterkristallen 03ET1398D Freiberger Compound Materials GmbH
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