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search_results: 23 Vorhaben gefunden


Thema Bewilligte Summe Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Untersuchungen und Anpassungen von CVD-Anlagen und in-situ Messtechnik für ein innovatives Monitoring des Schichtwachstums auf nativen GaN Substraten 744.057,66 EUR AIXTRON SE
Verbundvorhaben MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium - Strukturelle Charakterisierung von Solarzellenstrukturen mittels Elektronenmikroskopie - 819.134,02 EUR Philipps-Universität Marburg - Fachbereich Physik und WZMW
Neue Pufferschichten mit MOCVD-Verfahren für CIS-Solarmodule (NePuMOC) 972.374,00 EUR AIXTRON SE
Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: Umsetzung von KI-gestützten Optimierungsstrategien für fortschrittliche Halbleiterproduktion 1.198.637,35 EUR bimanu Cloud Solutions GmbH
Herstellung Organischer Solarzellen durch Organic Vapour Phase Deposition (OVPD) 1.213.222,00 EUR AIXTRON SE
Verbundvorhaben: MOCVD4.2 - Optimierte Produktion von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung; Teilvorhaben: Analyse und Bewertung der Effekte bezüglich der Bauelemente für die Leistungselektronik 1.228.897,44 EUR Institut für Mikroelektronik Stuttgart
Verbundvorhaben MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium - 'Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium' - 1.375.692,93 EUR Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE)
Herstellung Organischer Solarzellen durch Organic Vapour Phase Deposition (OVPD) 1.783.634,00 EUR Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung
MOCVD4.1 - Optimierte Produktion (MOCVD 4.0) von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung 2.007.235,00 EUR AIXTRON SE
Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: SiC-Epitaxieentwicklung für die nächste Bauelementegeneration 2.170.068,95 EUR Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie