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Thema	FKZ	Ausführende Stelle
Verbundvorhaben: HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV; Teilvorhaben: Untersuchungen und Anpassungen von CVD-Anlagen und in-situ Messtechnik für ein innovatives Monitoring des Schichtwachstums auf nativen GaN Substraten	03EN4033D	AIXTRON SE
Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: Umsetzung von KI-gestützten Optimierungsstrategien für fortschrittliche Halbleiterproduktion	03EN4084C	bimanu Cloud Solutions GmbH
Verbundprojekt: Entwicklung einer neuen Dünnschichttechnologie für die Photovoltaik: Technische Umsetzung des CCSVT-Verfahren am Beispiel des Cu(In, Ga) Se2-Solarzellenbasis-Materials	0329740A	AIXTRON SE
Entwicklung einer neuen Dünnschichttechnologie für die Photovoltaik: CSVT-Verfahren im offenen System zur Herstellung von ZnSe/CuGa Se2-Heterodioden	0329740 /6	Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Neue Pufferschichten mit MOCVD-Verfahren für CIS-Solarmodule (NePuMOC)	0327501B	AIXTRON SE
Verbundprojekt: OptiKeraLyt - Material- und Produktionsprozessoptimierung für Lithium-Ionen-Batterien mit keramischen Festkörperelektrolyten; Teilvorhaben: Silizium-Anodenanbindungtechnologie	03ETE016A	AIXTRON SE
Verbundvorhaben: MOCVD4.2 - Optimierte Produktion von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung; Teilvorhaben: Konzeption und industrielle Bewertung	0324237E	AZUR SPACE Solar Power GmbH
Kadmiumfreie CIS-Module: Verfahrensentwicklung	0327501A	Würth Solar GmbH & Co. KG
Verbundvorhaben MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium 'MOCVD-Technologie für Hocheffiziente III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silicium'	03SF0525D	AIXTRON SE
Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: SiC-Epitaxieentwicklung für die nächste Bauelementegeneration	03EN4084B	Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie

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