Verbundvorhaben: SiC - Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie; Teilvorhaben: Umsetzung von KI-gestützten Optimierungsstrategien für fortschrittliche Halbleiterproduktion
Zeitraum
2024-06-01 – 2027-05-31
Bewilligte Summe
1.198.637,35 EUR
Ausführende Stelle
Förderkennzeichen
03EN4084C
Leistungsplansystematik
Energiesparende Industrieverfahren - Elektrotechnik [EA3253]
Verbundvorhaben
Zuwendungsgeber
Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK.IIB5)
Projektträger
Forschungszentrum Jülich GmbH (PT-J.ESN4)
Förderprogramm
Energie
Erstes Ziel dieses Projekts ist die Steigerung der Ressourceneffizienz und des Energieverbrauchs bei der Produktion von Schichtstrukturen aus Verbindungshalbleitern (hier SiC) sowie die Reduzierung der Abfälle. Dabei werden KI-basierte Simulations- und Entwurfsmethoden für material- und energieeffiziente Herstellungsmethoden und Bauelemente entwickelt und erforscht. Dieses Projekt wird europäische nachgeschaltete Marktteilnehmer mit einer zuverlässigen und energieeffizienten Epitaxie-Technologie für SiC-Wafer, die auf einer rein europäischen Technologie basiert, versorgen. Die technische Exzellenz von AIXTRON stärkt dabei die globale Wettbewerbsposition Europas. Dieses Projekt verbessert die aktuelle SiC-Epitaxie-Technologie über den Stand der Technik hinaus, um große aufstrebende Märkte für elektrische Energie zu bedienen. Diese energieeffiziente Epitaxie[1]Technologie liefert Vorteile bei der Umstellung auf erneuerbare Energien, Mobilität und Industrie. Das Projekt liefert Möglichkeiten zur Energieeinsparungen bei Anwendungen zur Spannungswandlung (DC/AC, DC/DC, AC/DC), im Bereich erneuerbare Energien, Industrie und Automobil. Ziel dieses Projekts ist das Verständnis und die Verbesserung der Produktionstechnologie von SiC für zu entwickelnde Transistoren bzw. Module. Der Energienachhaltigkeit gilt dabei besonderer Aufmerksamkeit.